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元件参数资料
>
参数目录37014
> FJB102TM TRANSISTOR PWR DARL HV D2PAK
型号:
FJB102TM
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
TRANSISTOR PWR DARL HV D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
FJB102TM PDF
产品目录绘图
DPAK, D2PAK Package
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
2.5V @ 80mA,8A
电流 - 集电极截止(最大)
50µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
1000 @ 3A,4V
功率 - 最大
80W
频率 - 转换
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
标准包装
产品目录页面
1601 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FJB102TMDKR
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